外延生長的基本參數(shù)之一是基片溫度，對(duì)于基片與薄膜材料之間，都有一個(gè)臨界外延溫度，高于此溫度的外延生長是良好的，而低于此溫度的外延生長則是不完善的。此外，生長速率R與基片溫度T有關(guān)。   

如吸附原子在與另一個(gè)原子碰撞結(jié)合之前能進(jìn)人穩(wěn)定的平衡位置，外延便能順利進(jìn)行.顯然基片溫度升高會(huì)促進(jìn)外延生長，它使表面原子具有更多的機(jī)會(huì)到達(dá)平衡位置，使表面擴(kuò)散和體擴(kuò)散都增強(qiáng)，結(jié)晶過程變得較容易進(jìn)行.從而促進(jìn)了單晶薄膜的生長。

基片的晶體結(jié)構(gòu)對(duì)于外延薄膜的結(jié)構(gòu)及取向有著十分重要的影響，同質(zhì)外延時(shí)兩者的結(jié)構(gòu)是一樣的，異質(zhì)外延時(shí)兩者的結(jié)構(gòu)也密切相關(guān)。異質(zhì)外延時(shí)常用失配度來描述基片結(jié)構(gòu)與薄膜結(jié)構(gòu)的關(guān)系。