在潔凈的環(huán)境下制備薄膜，是保證薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵技術(shù)之一。凈化間的定義最初是由美國(guó)開發(fā)的聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)209版(Federal Standard 209)。后來(lái)發(fā)展為以單位體積中存在一定直徑以上的顆粒數(shù)為基礎(chǔ)的凈化間級(jí)別的定義。凈化間級(jí)別的米制版如表4一18所列。圖4一19的縱坐標(biāo)表示單位體積中的粒子數(shù)，右邊對(duì)應(yīng)英制，左邊對(duì)應(yīng)米制。按照聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)209E，每立方英尺中0.5μm以上的粒子數(shù)100個(gè)、10000個(gè)、100000個(gè)分別對(duì)應(yīng)于FS100, FS10000和FS100000。這就是我們常用到的100級(jí)、10000級(jí)和100000級(jí)。
   隨著對(duì)凈化間的要求越來(lái)越高，對(duì)凈化間標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的越來(lái)越細(xì)。近年來(lái)，規(guī)定按每立方米中0.1μm以上的粒子數(shù)，分別對(duì)應(yīng)為新1級(jí)(10個(gè))、新2級(jí)(100個(gè))、新3級(jí)(1000個(gè))、新4級(jí)(10000個(gè))等，見圖4一20的左邊.
   在薄膜制備中，采用什么環(huán)境最合適。需要根據(jù)具體情況而定。如對(duì)于半導(dǎo)體、集成電路等的薄膜制作，應(yīng)該在新5級(jí)(FS100)一新6級(jí)(FS1000)的潔凈室進(jìn)行基片清洗，在優(yōu)于新3級(jí)(FS1)的潔凈環(huán)境中進(jìn)行鍍膜。因此，必須從制備薄膜的需要來(lái)確定清潔度和設(shè)計(jì)工作間。