氧化鋁和鎂橄欖石等絕緣性陶瓷，即使在高溫條件下對高頻電力也具有優(yōu)異的絕緣電阻、耐壓和介電損耗等性能。陶瓷絕緣材料的主要用途見表4一5，其性能見表4一6。
   陶瓷性能受到下面許多因素影響:主要成分的晶體類型，非主要成分組成，雜質(zhì)，玻璃質(zhì)中間物，氣孔數(shù)最和分布狀態(tài)，在結(jié)晶過程中產(chǎn)生的成分偏離和結(jié)構(gòu)缺陷等。高精細(xì)陶瓷材料，在功能、材質(zhì)特性、與金屬連接的加工復(fù)雜性、尺寸精度和形狀精度等方面，均能滿足現(xiàn)代薄膜制備與薄膜器件的需要。

   氧化鋁基片的制造技術(shù)發(fā)展很快，純度92% -99%的氧化鋁陶瓷得到了廣泛的應(yīng)用。薄膜電路主要使用研磨的氧化鋁基片、在氧化鋁基片上涂玻璃釉的涂釉基片、光潔的高純度氧化鋁基片以及研磨的藍(lán)寶石基片。
   藍(lán)寶石基片不管是在電絕緣性能、化學(xué)熱穩(wěn)定性能;還是導(dǎo)熱性能和表面粗糙度等均是性能優(yōu)異的薄膜基片。藍(lán)寶石基片應(yīng)用范圍很廣，除用作電子材料外還可以用作光學(xué)材料、機械零件材料和裝飾材料。過去一直采用韋納伊氫氧焰熔融法(Verneuil)和切克勞斯基(Czochralski)單晶控制法生產(chǎn)這種基片，但1975年以后日本京塞拉公司采用邊緣固定的膜饋送成長法(EFG)制造出薄膜基片、硅用藍(lán)寶石(SOS)基片和硅一藍(lán)寶石晶片。
   由于藍(lán)寶石在GH:內(nèi)的介電損耗小、熱導(dǎo)率大，因此它作為微波用薄膜基片是很優(yōu)異的。另外藍(lán)寶石表面極光潔，因此可以用作需要進行微細(xì)圖形加工的混合集成電路基片和精密薄膜電阻的基片。表4一7列出現(xiàn)在成批生產(chǎn)的用作基片的藍(lán)寶石和具有其他形狀的藍(lán)寶石的尺寸。